1.原型机是大脑正电子放射断层专用扫描,采用了下一代雪崩光电二极管探测技术.

2.同时，二极管也很难打碎，这对于要在非洲坑洼的马路上经受颠簸的运输者而言，是一个真正的优点。

3.详细分析了单相三电平二极管钳位PWM整流器的工作原理,得出了其开关等效电路.

4.灯泡里的10个二极管，每个都涂上磷，放置在环形的铝制插槽中。

5.实践表明，压敏电阻作直流电源的整流器的保护元件优于二极管。

6.该光纤式振动计由发光二极管、光纤探头和两个光子探测器组成。

7.二极管泵浦固体激光器具有脉冲宽度窄、峰值功率高等特点，特别适合用于摩擦副工件表面微观造型。

8.采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片，采取铂扩散的方法引入复合中心，从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间。

9.在考虑载流子的空间电荷效应、扩散效应和注入电流脉宽情况下，推导了双漂移崩越二极管的渡越角表达式。

10.轴向式电阻、电感、二极管、保险丝等转立式编带。

11.对于电视接收机中的带通滤波电路的转换来说，通过对接收振荡器的振荡进行整流而产生开关二极管的负的开关电压。

12.频率响应也可以由低压微尺寸压控变容器或者变容二极管控制，并且可被例示为与天线模块共存的调谐的谐振匹配滤波器网络。

13.典型磷化镓二极管的辐射功率比典型磷砷镓二极管大10倍左右.

14.基于矩量法技术对微波二极管检波器的检波特性进行了分析.

15.主要产品有开关二极管系列、稳压二极管系列、三极管系列。

16.以作者近20年的生产实践过程为背景，以研究试验为依据，探讨汽车硅整流二极管芯基片以铁代钼的可行性。

17.只有一个外部晶体管所需的变容二极管，线路驱动。

18.本文介绍了几种新型复合二极管，包括变容二极管、开关二极管、二极管阵列、阻尼二极管、调制二极管和肖特基二极管等。

19.介绍了相关大功率激光二极管的开发进展与趋向，并介绍了它在军事系统的应用情况。

20.实验结果表明，该二极管的反向恢复软度因子提高到了1.0左右，较传统的PIN二极管有了较大改善。

21.齐纳二极管，萧基二极管，双极晶体管。

22.考虑了工作信号躁声，感光光电二极管深嵌入硅片中，与芯片表面上产生噪声的元件相隔离。

23.表面贴装开关二极管.75五,反向电压整流电流250毫安.

24.脉冲宽度发生器404接收来自二极管405韵信号和选择信号。

25.插件机可以把各类电子元件,如:电阻、电容、二极管、LED、轻触开关、排插等自动、高速、高效的插入电路板,具有较高的科技含量。

26.爆磁压缩发生器常用来驱动脉冲调制器，在二极管上产生高功率短脉冲。

27.只要按图28那样在阈值检测器中使用性能匹配的稳压二极管，那么这个信号发生器电路就可以做到与温度变化和电源电压变化无关。

28.以透明玻璃或石英当做永久性基板之发光二极体。

29.本文对晶体二极管引线光亮电镀锡的可焊性进行了研究。

30.放大器输入为电压信号，与光敏二极管产生的光电流信号成比例。调制光柱以断路器同样的频率照射光敏二极管。

31.一种其工作取决于固体材料中电或磁现象控制情况的元件，例如晶体管、晶体二极管和铁氧体磁芯等。

32.文中列出了碲镉汞光电二极管结电容的测量结果.

33.现在的计算机用的是晶体二极管,虽然底层原理不同,但是性质是一样的,这就是编程中常说的封装和抽象的好处,你不需要关心它的原理,用它实现你的功能就行了。

34.第一种方式是透过光电二极体上的光源减少来对电容器进行放电，一旦所需的光源输出被产生之后就关闭装置。

35.瞬态电压抑制器，齐纳二极管，整流器。

36.课题主要目的是建立高功率微波实验系统，测定常用二极管、三极管的高功率微波毁伤阈值。

37.由于流过齐纳二极管的泄漏电流会在电阻器上产生电压降，所以希望使用低漏电的齐纳二极管。

38.人们提出采用二极模稳定杆使二极模频率远离四极工作模。

39.在现代电子线路仪器和设备中，作为电压基准的稳压二极管，有着较广泛的应用。

40.高频高功率，高频率，按装式整流二极管。

41.在二极管泵浦固体激光器耦合光学系统中，柱面透镜起着非常重要的作用。

42.表面贴装型齐纳二极管。齐纳额定电压4.7V，测试电流20.0毫安。

43.确信你的耿氏二极管没有同时在音频或高频振荡。

44.高速开关二极管阵列。

45.另外，续流二极管的反向恢复特性也有明显改善。

46.总共20个大视野角度二极管灯,增强反光.让您目前的输出亮度翻一番.

47.对固体激光器的灯泵浦和二极管泵浦方式进行了比较，详细分析了不同类型的固体激光器所适用的泵浦方式。

48.接着以此为基础，将变容二极管用于方向图可重构天线的设计，实现了天线方向图和增益的连续可调。

49.一种半导体二极管阵列,通过熔断或烧断二极管的结来实现编程过程.

50.光电放大器用于放大由光电导、光电二极管和光电池所得到的光强度信号,如图1116.