1. 一是因畸变层与非畸变层的扩散系数不同，结果由扩散导致交界区出现原子富集；二是离子轰击的溅射作用和溅射衰减效应使得出现内层的浓度峰。

2.31. 低溅射功率下，与键角畸变有关的结构无序是导致光学带隙变窄的主要因素。

3. 一蓬黑血溅射出一只拳头大的眼,其中的不甘让人有着瞬间的悲悯,随之砰然化为了飞烟。

4. 高Z材料因其高熔点和低溅射率近年来受到越来越多的关注，但是难熔材料的脆性等问题仍然是这类材料应用的一大障碍。

5.51. 用射频溅射的方法制备得的钆钴膜具有垂直于膜面的单轴各向异性。

6. 研究结果表明，磁控溅射制备的碳氟膜为非晶结构。

7. 磁控溅射离子镀铝膜不是简单的单质外接铝膜，而是铝和铁组成的合金膜。

8.19. 本文将主要叙述等离子溅射镀膜的原理与方法,并且简单介绍磁控管溅射仪和锇等离子镀膜仪等.

9. 具有自己生产蒸发和溅射匀胶铬版的知识产权。

10. 对于反应溅射，可通过连续改变反应气体流量制得化学成分比连续变化的梯度薄膜。

11.16. 也可以单独作为磁控溅射或多弧离子镀膜机使用。

12.28. 老实说,狂战斧挺好用的,它可以带来相当可观的攻击加成,恢复能力,并且它还有溅射效果.

13. 所述的合金组合物优选形成为用于薄膜应用领域的溅射靶。

14.成型工具、注射模具和诸如冲头和冲模之类的通用器具，以增强其耐磨性和使用寿命。

15.14. 三极反应溅射具有设备简单，工艺简便，镀层致密等特点。

16. 反应溅射中氧分压对薄膜的影响也很大，较高的氧气分压有助于较好结晶的二氧化钛薄膜的生成。

17. 磁控溅射离子镀铝膜不是简单的单质外接铝膜，而是铜和铝组成的合金膜。

18.3. 研究结果表明，磁控溅射制备的碳氟膜为非晶结构。

19.41. 磁控溅射离子镀铝膜不是简单的单质外接铝膜，而是铝和铁组成的合金膜。

20.12. 过高的溅射功率使薄膜以非晶态的形式存在.

21. 一个个子不高的小胖子,笨拙的游趟在湖底,瞪大那双水灵灵的小眼睛,憨头憨脑的四处环望,不时狼狈的躲避着那溅射起的熔炎。

22.47. 通过磁控反应溅射，在玻璃基底上制备了不同溅射温度下的氧化钛薄膜。

23. 在不同的衬底温度下用射频溅射方法制备了氮化碳薄膜。

24.6. 溅射时间越长或溅射功率越大或装载量越少，都有利于薄膜结晶。

25. 本文将主要叙述等离子溅射镀膜的原理与方法,并且简单介绍磁控管溅射仪和锇等离子镀膜仪等.

26. 应用TRIM程序模拟了离子在氚钛靶上的溅射产额。

27. 分析了氘饱和状态下液态锂作为包层流动液帘表面的溅射问题，得到了氘饱和状态下液态和固态锂的溅射产额。

28. 三极反应溅射具有设备简单，工艺简便，镀层致密等特点。

29. 本文主要论述基板员偏压与铜基体磁控溅射离子镀铝膜的关系。

30. 这是溅射离子簇质谱中继“幻数”结构的另一个重要性质。

31.57. 用磁控反应溅射法在不同氧分压下制备了氮氧化铪薄膜。

32. 真空室内的气体等离子体可由热灯丝或射频放电产生，4另外还配置了4个金属等离子体源、两套磁控溅射靶和冷却靶台。

33. 采用磁控溅射法制备锰铜薄膜,溅射和真空蒸发法制备镱薄膜.

34.37. 磁控溅射离子镀铝膜不是简单的单质外接铝膜，而是铜和铝组成的合金膜。

35. 采用氢离子溅射和X射线光电子能谱相结合的方法，检测焦磷酸盐镀铜层和铁基体界面区含氧量的变化，证明了氧化层的存在。

36. 也可以单独作为磁控溅射或多弧离子镀膜机使用。

37. 采用射频溅射制备BST薄膜，研究了薄膜的介电击穿特性。

38.5. 溅射原子发射的角分布概率和溅射花样与高能溅射相类似。

39. 本论文对真空蒸发法和直流溅射法沉积锌膜的工艺进行了研究，结合XRD、SEM、AFM等分析手段，以探索这两种方法在制备锌膜方面的一般规律。

40. 方法：用电子束蒸发和射频磁控溅射两种技术制备了天然HA薄膜。

41. 采用磁控共溅射法制备了含不同尺寸纳米硅晶粒的氧化硅复合薄膜。

42. 利用磁控射频溅射技术制备了ITO薄膜。

43.1. 采用磁控溅射方法制备金属锑薄膜，并把它作为锂离子二次电池负极进行研究。

44.铜、镍成份的相对稳定和锰铜合金正六面三元固溶体金相结构的特性.

45.25. 方法：用电子束蒸发和射频磁控溅射两种技术制备了天然HA薄膜。

46.两套磁控溅射靶和冷却靶台。

47.43. 本文利用正交实验方法，对非平衡磁控溅射技术制备无氢DLC膜增透膜进行了研究，得到了影响薄膜光学性能的主要因素和最佳的制备工艺。

48. 本文用光谱分析的方法研究低温反应射频溅射生长的A1N薄膜。

49.58. 采用射频溅射制备BST薄膜，研究了薄膜的介电击穿特性。

50.黄磷、五硫化二磷都属易燃有毒物品,如果用直流水枪直接喷射会造成着火物溅射导致火灾蔓延。