1.为了研制数字化核谱仪，研究了一种用于数字多道脉冲幅度分析的梯形成形算法。

2.脉冲宽度调制器和取样保持装置.

3.电刺激时,放在直肠前列腺附近的探头释放电脉冲常可完成**.

4.在开关气压和输入脉冲幅度不变时，输入脉冲上升沿越快，开关的击穿时延越小，击穿电压越高。

5.本文研究了激光雷达相关理论及激光测距方法，基于脉冲激光测距法，给出了一种结构简单，可同时处理多路回波信号的测距电路。

6.第一行的显示屏显示脉冲每分钟浓度除非分频器正在使用中。

7.杂讯、高压脉冲等有良好抵抗力。

8.采用TVS板极防雷技术，可以有效防止1.5KW以下功率的瞬时雷击、浪涌等各类脉冲信号对设备造成的损坏。

9.相关技术可广泛应用于其它脉冲式压力或流量仪表。

10.硬件局部应用霍尔元件将自行车每转一圈的脉冲数送入单片机系统，然后单片机系统将旌旗灯号颠末处置送显现。

11.光源包括半导体激光器、准直耦合元件和窄脉冲发射驱动电路.

12.将等离子云传感器应用于脉冲等离子弧焊穿孔熔池小孔状态检测，并对检测信号的波形特征做了深入研究。

13.文中提出的精插补算法彻底解决了精插补中任意给定脉冲数在插补周期中均匀分配的问题，可以有效的提高开环系统的性能。

14.文中给出了使用该方法分析脉冲产生电路和脉冲整形电路的实例。

15.向下属反馈很少是平心静气，细水长流的；它往往是在不希望有的事件的刺激下，脉冲式地发生。

16.我们选用了对应于静态工作点高、低电压的两个不同的脉冲幅度。

17.在一个复杂的社会中是非常难侦测到一场大型爆发的疾病的源头的，但是脉冲场凝胶电泳的出现改变了一切。

18.高强度的脉冲通过具有明显的克尔效应的介质之后，其频率的包络线会变宽。

19.本文介绍了一种对二路随机脉冲尾数求差的原理，并在此基础上推出用十进制求差的计算法。

20.这篇論文中，我们使用脉冲电流探讨直流电流下，高功率氮化镓发光二极体发光效率衰减的因素。

21.给出了皮秒激光脉冲宽度带测量的设计原理和实验结果。

22.本文扼要的介绍了脉冲编码传输设备的原理，其中包括有话路、定时、同步、编译码和帧结构。

23.干扰信号可以是调频电话信号、调频电视信号或脉冲雷达信号。

24.在这篇文章中，我们提出并分析了一个具有捕食者，食饵和既有周期脉冲输入又有周期脉冲输出营养液的恒化器模型。

25.是脉冲功率领域理想选择之一。

26.一天他们毫不知觉的将电极插错了位置，他们开始测试老鼠的时候，当老鼠获得小的脉冲后，它不断的在那个拐角处来回的重复来去。

27.一个3.2千兆赫兹的处理器每秒能发生32亿左右的脉冲。

28.因此，使用特殊设计的单脉冲馈源可望将归一化差斜率提高到1.4。

29.该晶闸管触发器采用集成运数放大器，移相触发脉冲的形成是根据三相交流电的各相与移相控制电压直接比较原理实现的。

30.本文设计了一种恒功率脉冲调宽式力平衡式传感器，并从理论上对它作了分析。

31.介绍了单脉冲双通道角跟踪接收机中一种不用寻找自跟零点的校相方法，阐述了该方法的原理，并与普通校相方法进行了对比，给出了这种方法的优点。

32.本文采用割线法，提供了一种利用同井垂向脉冲试井的实测数据确定油层垂直方向及水平方向渗透率的方法。

33.对于一些特殊的要求，ABB已优化了一些用二脉冲功率元器件。

34.为了防止死区，PFD101可在UP和DN输出信号中生成良好定义的最小短脉冲宽度。

35.另一种为单路一次对消器，它适用于宽脉冲雷达。

36.因此在效果上是加大了脉冲谱翼部的陡度.

37.在自由空间量子密钥分配中，单光子源采用具有泊松分布的高度衰减激光脉冲，量子密码术协议采用BB84和B92协议。

38.自积分式罗氏线圈广泛用于脉冲功率技术中的快过程大电流测量。

39.输出锁模脉冲的基频为几兆赫兹。

40.较全面地介绍了非晶合金中常见的磁滞回线的平移及变形等不对称现象、微观机理，以及在脉冲变压器、防盗系统和商品识别等领域的应用。

41.然后修补者逐渐前进，根据污层的厚度和组成，仔细调整激光的波长，能量密度和脉冲。

42.飞秒脉冲放大器中色散的计算和评价方法。

43.清灰技术先进，采用电磁脉冲阀控制对滤袋的喷吹，工作可靠。

44.当突触受到刺激时，它们释放出电脉冲在体内运动。

45.结果表明：通过测量信号曲线的特征参数，能够在线计算出脉冲萃取柱中的脉冲振幅参数。

46.木工车间除尘主要用脉冲袋式除尘设备,木器厂所产生的刨花可以通过布袋过滤,在集尘箱内收集,又可以成为资源二次利用或销售！

47.分析了对星载SAR实施压制式干扰的可行性，通过计算压制式干扰功率，得出能够采用相干脉冲主瓣干扰对星载SAR实施压制干扰的结论。

48.医用脉冲冲洗器、自控降温仪、振动排痰机等产品。

49.本文对得到的结论给出了合理解释，以期未来能以此为依据调整器件结构、改变外电路形式，从而提高晶体管对电磁脉冲耐受性。

50.LED总光通量在直流模式下随点燃时间下降，在脉冲模式下则不随点燃时间变化。