1.表面安装肖特基势垒二极管。最大峰值反向电压30经常五，最大平均正向电流0.2答。

2.考虑了工作信号躁声，感光光电二极管深嵌入硅片中，与芯片表面上产生噪声的元件相隔离。

3.实验室常用的是电子倍增器和半导体型光二极管。

4.电子记分牌使用高亮度发光二极管、知名度最高的定义，以全彩色谱增加亮度、大选择设计。

5.相对于体外的AM调制方式，解调器采用二极管峰值包络检波进行解调。

6.我已经回到电容耦合从接收，也增添了齐纳二极管保护的CMOS部分，从静态的问题，可能一点点更好。

7.光电放大器用于放大由光电导、光电二极管和光电池所得到的光强度信号,如图1116.

8.经过几天的反复实验,“会发光的羽毛球”问世了———他们在羽毛球的尾部装了一个纽扣儿电池和一个发光的二极管。

9.因此，稳压二极管电压漂移参数的检测具有重要的意义。

10.肖特基势垒二极管。重复峰值反向电压30V。

11.藉由次微米光栅来使得发光二极体光型趋于均匀的理念，可应用于LCD的背光板上，改善发光二极体光源的均匀性。

12.为了增加更多的死区时间，补偿功率管的切换瞬间短暂延时，增加了一个肖特基二极管，与栅极电阻。

13.灯泡里的10个二极管，每个都涂上磷，放置在环形的铝制插槽中。

14.矽二极体：这种类型的二极体不发光。

15.因此，光辅助电化学制程适合在高亮度氮化镓发光二极体的应用。

16.有两种型号，大白的背带多彩色LED以及黑色带多彩色发光二极管。

17.非线性双向二极管介观电路的能谱与电路的参数有关。

18.一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔离层，以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。

19.发光二极管的时间与空间相干性研究。

20.这篇論文中，我们使用脉冲电流探讨直流电流下，高功率氮化镓发光二极体发光效率衰减的因素。

21.实验结果表明，该二极管的反向恢复软度因子提高到了1.0左右，较传统的PIN二极管有了较大改善。

22.为此，人们近年来在此领域不断的深入，以期制造出更为稳定的电压基准稳压二极管。

23.发光二极管是比传统灯泡更省电，使用寿命更长的小玻璃灯泡。

24.本文首先研究二极管箝位型三电平逆变器的拓扑结构和数学模型。

25.文中列出了碲镉汞光电二极管结电容的测量结果.

26.实践表明，压敏电阻作直流电源的整流器的保护元件优于二极管。

27.高速开关二极管阵列。

28.接着以此为基础，将变容二极管用于方向图可重构天线的设计，实现了天线方向图和增益的连续可调。

29.另外，续流二极管的反向恢复特性也有明显改善。

30.根据本发明的又一方面，电荷平衡功率器件将诸如二极管的温度和电流感应元件结合在相同的管芯上。

31.这些传感器很容易调准，且使用非常明亮的红色发光二极管来安装。

32.输入电流谐波含量高是多脉波二极管整流电路的一大缺点。

33.所有输入夹紧以高性能肖特基二极管压制线敲响和简化系统设计.

34.在500毫安，NPN达林顿输出的积分瞬态抑制二极管，是适合于继电器，螺线管和其他感性负载使用。

35.光电二极管固有的热产生的暗电流不断为二极管充电。

36.现在的计算机用的是晶体二极管,虽然底层原理不同,但是性质是一样的,这就是编程中常说的封装和抽象的好处,你不需要关心它的原理,用它实现你的功能就行了。

37.讨论了二极管阵列少子寿命与存储时间的关系，计算了相关输出与参考信号和读信号的关系，结果表明这种结构的器件是双线性的。

38.如果知道二极管的电阻RD，我们可以用公式计算二极管的“饱和电流”。

39.根据有机发光二极管OLED器件的发光特性，分析了OLED器件实现灰度级显示的机理。

40.提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布。

41.这种电路的每一支路中的元件，除一般电路元件外，还可能包括功率开关晶体管、二极管或隔离变压器的一个绕组。

42.阐述了一种基于阶跃恢复二极管的脉冲快速沿整形电路设计。

43.由于流过齐纳二极管的泄漏电流会在电阻器上产生电压降，所以希望使用低漏电的齐纳二极管。

44.硅功率整流二极管，300安培。阳极的情况下。最大重复峰值反向电压为600V。

45.可由开关控制半旗状态,并有一发光二极管显示.

46.设计了一种超宽带高斯脉冲的脉冲发生器，此脉冲发生器主要由阶跃恢复二极管，FET管和肖特基二极管组成。

47.发光体3是在一透明塑料软管内两端部各装有至少一只发光二极管31，在发光二极管之间装有发光纤维32。

48.一束由发光二极管发射出的红外线光立刻进入到使用者眼前的空间，这样一个小型摄像机装置,可分析人们的手势轨迹。

49.此外还观察到，在较低的测试频率和较大的正向电压下，激光二极管的结电容具有负值。

50.后灯继续使用的白炽灯泡的发光二极管代替.