1. 它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.

2. 晶体管交流毫伏表只能用于正弦电压测量，使测量任意波形电压受到限制。

3.特别地，当一个高功率电磁脉冲突然加载在晶体管上时，会导致晶体管的电击穿或热击穿。

4.这种特殊的几何结构不仅最大程度降低了不良效应,而且,和当今的平面晶体管相比,静电控制性能也得到了极大提升。

5.最有意义的是里头还有一个冷子管,它由MIT在当年开发完成,这之后取代了计算机中复杂昂贵的晶体管。

6. 存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。

7.光电晶体管等。

8. 该文以微波放大器的有源网络设计为基础，针对微波晶体管输入与输出阻抗相互影响的特点，提出了阻抗匹配的自适应递推设计方法。

9.在硬开关里场效应晶体管的开启波形拐点并不和漏源极电压值同步。

10. 晶体管存贮单元端点的数量是不受限制的.

11. 在大多数应用中，电子管已由晶体管代替，但是在阴极射线管和一些无线电频率电路以及音频放大器中，仍然要使用电子管。

12.“韩国泡菜碗里这个最辣的辣椒”就是三星电子，三星电子第一个电子产品是笨重的晶体管收音机，而发展到现在，从销量的角度去评估，它已经是世界上最大的科技公司。

13. 每个晶体管至少有三个电极。

14.本文根据晶体管非线性元件的特点，利用数学推导方法，从基础上分析了变频工作啸叫的原因，并提出了消除方法。

15. 本文从包括埋层影响的集区杂质分布出发，求出了寄生PNP晶体管的共基极电流放大系数。

16. 我们必须十分重视晶体管的偏置.

17. 光电晶体管。集电极发射极发射极电压30V的集电极电压6五，集电极电流为20毫安。功耗100毫瓦。

18. 然而，有机场效应晶体管性能的快速进步，主要得益于新型有机半导体材料方面的研究进展。

19.一群科学家们成功地创造出单分子晶体管。

20.在防止芯片尺寸增大且抑制了功耗增大的同时，来对MOS晶体管的温度相关性进行补偿。

21.由BIMOS型运放和VMOS场效应晶体管的巧妙配合，使仪器具有很高的精度和很好的性能。

22.本文叙述了发生在单结晶体管二阶受迫振荡电路中的倍周期分岔，周期迭加分岔和混沌现象，并讨论了这些现象的发生机理。

23. 在一般的双极晶体管，带有电输入和输出端口，这定律完全适用。

24. 建成后可先期开展PN结和晶体二极管、三极管、双极型晶体管等产品检测,基本满足全市微电子企业产品试验及成品出厂检测需要。

25.崩振荡器、音频信号发生器和闪光节拍器四个例子介绍了雪崩晶体管的应用。

26.晶体管是用几小片锗晶体组成的。

27. 我们所研究的晶体管都是把电流馈入发射极.

28.许多探测器技术以非晶硅薄膜晶体管阵列为基础发展起来了，可是最成功和广泛应用的探测器被称为“间接”探测器。

29. 本文介绍了晶体管的雪崩原理，通过张弛振荡器、雪崩振荡器、音频信号发生器和闪光节拍器四个例子介绍了雪崩晶体管的应用。

30.晶体管有三个电极,即发射极,基极和集电极.

31. 比如，在1975年，数字电路用的是晶体管综合线路，但到了1985年，数字电路就变成微处理器设计了。

32. 随着半导体产业的飞速发展,电子产品的尺寸越来越小,晶体管集成度越来越高,单个晶体管的尺度也越来越小,由尺寸效应等导致的量子效应也越来越明显。

33. 采用标准分立双极元件，对双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法进行了实验验证。

34.管收音机刚刚兴起,脑袋闲着没的干,我就去琢磨收音机,琢磨晶体管收音机,不用大片的田地,不用那位领导审批,把晶体管收音机装响了,从那里可以找到许多欢快和慰籍。

35.这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性。

36. 这就是说，电路并不在晶体管层次进行设计，而是在门电路、触发器和存储模块的级别进行设计的。

37. 电子控制单元。包括由转速传感器控制的开关晶体管，用来断开或接通初级电路。

38.多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置。

39. 惊魂夺魄百念无,一手乾坤待于谁?晨阳飘过,小房间内,李灿手中一颗米粒般大小晶体管,柔弱的发着浅黄色光芒。

40. 正如阿南特加瓦尔解释说，中医取代单核心处理器已经变得如此复杂，并增加了更多的晶体管，它的技术达到了死胡同。

41. 晶体管有三个电极,即发射极,基极和集电极.

42.它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.

43. 本文在对器件的特性进行分析的基础上，对多输入浮栅MOS晶体管在电压型多值逻辑电路中的应用进行了研究。

44. 由BIMOS型运放和VMOS场效应晶体管的巧妙配合，使仪器具有很高的精度和很好的性能。

45. 几百个微细的晶体管、晶片和其他电子零件被机械人“拾起并定位”到每块电子版上，多支机械手臂一起快速舞动，让人目不暇接。

46.改变外电路形式，从而提高晶体管对电磁脉冲耐受性。

47.本发明能够抑制氧化物半导体层中晶格缺陷的形成并抑制湿气的进入，从而提高薄膜晶体管的可靠性。

48. 本文对得到的结论给出了合理解释，以期未来能以此为依据调整器件结构、改变外电路形式，从而提高晶体管对电磁脉冲耐受性。

49. 这导致主要产品是晶体管类扩音机，当然我们不排斥完全电池供电的胆机设备，虽然胆机电池供电重量和体积太大，对大多数人也不划算。

50.硅互补PNP晶体管。音频放大器的输出。