1. 通过镀覆工艺参数的调节，控制复合镀层基体结构，促使其逐渐向非晶态过渡。

2. 钛基非晶态钎焊料是一种较有应用前景的新型钎焊材料.

3. 非晶态合金催化剂用于卤代硝基苯的加氢还未见报道。

4.11, 有机半导体是由分子所聚集而成的，现有技术用的是非晶态物质，它是固体材料，但却是缺乏规律排列的非结晶状态。

5. 较全面地介绍了非晶合金中常见的磁滞回线的平移及变形等不对称现象、微观机理，以及在脉冲变压器、防盗系统和商品识别等领域的应用。

6. 光伏电池依赖于非晶态或晶态的硅，碲化镉或者硒化、硫化铜铟。

7. 提供了一种以提高的台阶覆盖率高温沉积非晶碳膜的方法。

8. 本文应用高分辩固体核磁共振技术，结合偶极滤波与自旋扩散技术对高聚物进行了系列的研究，研究对象包含了多相高聚物和均相非晶体系。

9.煤炱、碳纤维和纳米管。

10.62, 电子衍射结果表明薄膜是非晶态的。

11.68, 非晶态合金催化剂用于卤代硝基苯的加氢还未见报道。

12. 介绍非晶态合金变压器的性能特点,并通过实例给出逆变式电焊机用非晶态变压器的设计方法.

13. 直流偏置电流改变了非晶带横向磁导率,造成阻抗变化的不对称.

14. 以90年代国内公开发表的非晶态合金镀层的研究论文为基础，综述该领域近期发展动态。

15.16, 本文报道了非晶氨化硅纳米粒子的制备及量子限制效应.

16. 聚合物材料多为半晶态,晶畴和非晶畴共存.

17. 将拟薄水铝石视为一个演化系列，随着层间结构水的变化，导致结构由非晶态至晶态、无序向有序的演化。

18. 这种退火脆性是由非晶态合金亚稳特性决定的结构弛豫所致。

19.29, 于此实验中，影响电性的主因除了接合面缺陷型态之外还有与接合角度相关的介面非晶系层的品质，这些影响因素与影响同相和反相接合电性的因素有所不同。

20. 研究了等温退火对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响。

21. 现代晶体学认为石蜡是非晶体物质。

22. 至此开始形成的就只会是锂磷酸铁，通过控制环境，研究人员能够使球体表面为玻璃质而非晶质。

23. 到目前为止,通过石墨、非晶碳、玻璃碳和C60等碳前驱体的高压相变还不能获得纳米孪晶结构金刚石。

24.70, 经化学镀镍处理后的表面是一种非晶态，即处于基本平面状态，有润滑性，因此磨擦系数小，非粘着性好。

25.24, 试验显示，在导线上套上一串非晶材料磁环能够显著增加线路电感，对减小真空开关重燃过电压的陡度是有效的。

26. 观察到非晶合金的晶化温度，磁有序温度和平均磁超精细场有规律性的变化。

27. 显微镜下,矿石为中粒至非晶质.

28. 非晶态因瓦合金经过热处理后极易形成纳米晶合金，而没有因瓦效应的非晶合金则不易形成纳米晶合金。

29.7, 利用转盘式磨料磨损试验机考察了非晶态搪瓷涂层的磨料磨损性能，并分析了磨损机理。

30.硫化铜铟。

31. 至于门限电压会因为非晶矽薄膜的表面氧化程度不同而有不同偏向.

32.长寿命催化剂应用在低温燃料电池中的原因。

33.45, 非晶态因瓦合金固有的结构不稳定性是造成其在晶化初期易于爆发式大量形核，并进一步形成精细分布的纳米晶粒的动力学原因。

34. 选择多组元大块非晶合金，研究高压条件下亚稳相的结构遗传性。

35. 一般情况下,酒精和甘油燃烧并冷却后会产生非晶型碳、煤炱、碳纤维和纳米管。

36.1, 她的眼睛并非晶莹的玛瑙，但东方的全部珍奇的宝藏，也不如她的眼睛美妙，因为里面闪耀着甜蜜的光芒。

37. 本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法。

38.20, 提供了一种以提高的台阶覆盖率高温沉积非晶碳膜的方法。

39. 这种由新材料制成的内存完全不同于之前IBM，Intel以及其它公司一直在研发的”相变内存“。”相变内存“是通过温度控制使玻璃状的材质在非晶体和晶体状态间转换。

40.59, 现代晶体学认为石蜡是非晶体物质。

41.40, 以及腔室，在其中包括压铸单元并且安装有真空泵，真空泵将腔室抽成真空以防止非晶合金的氧化。

42. 关键词:动态分子模拟、聚碳酸酯、非晶质结构.

43. 另外，论文中进行了非晶态合金的原子结构与物理性质的研究。

44. 电子衍射结果表明薄膜是非晶态的。

45. 采用铜模吸铸法，制备出管状非晶态合金Fe36Co36B20Si4Nb4。

46. 非晶态因瓦合金固有的结构不稳定性是造成其在晶化初期易于爆发式大量形核，并进一步形成精细分布的纳米晶粒的动力学原因。

47.8, 观察到非晶合金的晶化温度，磁有序温度和平均磁超精细场有规律性的变化。

48. 于此实验中，影响电性的主因除了接合面缺陷型态之外还有与接合角度相关的介面非晶系层的品质，这些影响因素与影响同相和反相接合电性的因素有所不同。

49.34, 这种退火脆性是由非晶态合金亚稳特性决定的结构弛豫所致。

50. 在荷电的悬挂键模型下，计算了各种情况下的费密能级和电子浓度。并对两类不同的非晶半导体作了详细的讨论。