1. 本文介绍了晶体管的雪崩原理，通过张弛振荡器、雪崩振荡器、音频信号发生器和闪光节拍器四个例子介绍了雪崩晶体管的应用。

2. 描述了双极型晶体管及其制造.

3.在半导体收音机中晶体管代替了真空管.

4.其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。

5. 特别地，当一个高功率电磁脉冲突然加载在晶体管上时，会导致晶体管的电击穿或热击穿。

6. 本文对得到的结论给出了合理解释，以期未来能以此为依据调整器件结构、改变外电路形式，从而提高晶体管对电磁脉冲耐受性。

7. 我们戴手表，用相机拍照片，看地图找路，听晶体管收音机，而你们用一部手机可以做以上所有的事。

8.扩音机中,广泛采用推挽功率放大电路.

9.晶体管存贮单元端点的数量是不受限制的.

10. 本文提出了高压低饱和压降GTR的最佳设计方法。分析表明，高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。

11.硅互补PNP晶体管。音频放大器和驱动器。

12. 我们必须十分重视晶体管的偏置.

13.在液晶显示器中是薄膜晶体管。

14. 晶体管存贮单元端点的数量是不受限制的.

15. 讨论了双极性晶体管雪崩的工作原理，分析了采用级联双极性晶体管结构的超宽带极窄脉冲发生器的电路。

16. 阻容晶体管逻辑电路。

17. 电容器、晶体管、二极管、电阻、熔断丝等编带封装料。

18.文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发，推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式。

19. 顾名思义，晶体管常用作混频器，可以输出混频信号，并且是许多电子通讯系统的基本元件。

20.采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术，获得了可与CMOS结构兼容，基区电阻较小的硅低温双极晶体管。

21. 只有一个外部晶体管所需的变容二极管，线路驱动。

22. 惊魂夺魄百念无,一手乾坤待于谁?晨阳飘过,小房间内,李灿手中一颗米粒般大小晶体管,柔弱的发着浅黄色光芒。

23.存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。

24. 我们所研究的晶体管都是把电流馈入发射极.

25.晶体管放大电路拥有一个防震二极管以防止由电线长度引起的自感应现象，此防震二极管连接在2个晶体管金属丝接头上。

26. 本文叙述了发生在单结晶体管二阶受迫振荡电路中的倍周期分岔，周期迭加分岔和混沌现象，并讨论了这些现象的发生机理。

27. 该同步机以FPGA为核心，与集成电路、晶体管分立元件相结合，实现对输入脉冲触发转换、脉冲成形以及驱动输出，最终产生多路同步触发信号。

28.结果表明：在辐照的剂量率范围内，无论是国产还是进口的双极晶体管，都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象，且NPN管比PNP管的明显。

29.该原子的表现正如一个量子光学晶体管，能持续控制流入光腔的光。

30. 硅互补PNP晶体管。音频放大器的输出。

31.传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。

32.薄膜晶体管和显示装置。

33. 从微波晶体管、场效应管管芯的单向化模型出发,给出了对微波宽带放大器的不等波纹函数型阻抗匹配网络综合方法.

34.这FET晶体管，这里用作可变电阻的电路IC2的反应的一部分。

35.晶体管的一项特别引人注意的应用是在助听器方面.

36.随意地，如果用锗晶体管取代硅晶体管，可使模块工作的输入电压最小为0.25V。

37.1927年,菲律宾中华研究院苏鹏实验室通过还原氧化锗,拉出了锗单晶,开始开发锗晶体管,当年相继研制出锗点接触二极管和三极管(晶体管)。

38. 齐纳二极管，萧基二极管，双极晶体管。

39.场效应管管芯的单向化模型出发,给出了对微波宽带放大器的不等波纹函数型阻抗匹配网络综合方法.

40.服务器和其它设备所能采用的只有二维平面晶体管。

41. 其内部只不过是一串串极为普通的金属线和晶体管，但外观上却使人不敢等闲视之。

42.除此之外,英特尔正在研究如何从平面晶体管过渡到3D晶体管,以及利用复合半导体取代现在晶体管通道中的硅。

43. 该文以微波放大器的有源网络设计为基础，针对微波晶体管输入与输出阻抗相互影响的特点，提出了阻抗匹配的自适应递推设计方法。

44.本文从包括埋层影响的集区杂质分布出发，求出了寄生PNP晶体管的共基极电流放大系数。

45. 采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术，获得了可与CMOS结构兼容，基区电阻较小的硅低温双极晶体管。

46.比如，在1975年，数字电路用的是晶体管综合线路，但到了1985年，数字电路就变成微处理器设计了。

47. 一群科学家们成功地创造出单分子晶体管。

48. 随意地，如果用锗晶体管取代硅晶体管，可使模块工作的输入电压最小为0.25V。

49. 将许多晶体管联结到集成块上的技术已发展成了.

50.基极晶体管中发射极和''.'集'.''''.'电'.''极之间的区域.