1.本文的模拟结果不仅能为高能电子束光刻工艺优化曝光条件、降低邻近效应提供理论指导，而且能为进一步的邻近效应的校正提供更精确的数据。

2.本工作研究了BGO晶体在快电子束作用下材料中出现的辐射损伤。

3.电子束焊接是通过阴极加热发射的电子，经高压电场加速后，获得极高的动能，加速后的电子经过磁透镜聚焦而形成能量密度极高的电子束来轰击工件表面。

4.比如一些3D印刷机在印刷台铺撒金属粉末之后，采用露光模板以外的激光或电子束方式进行热凝处理来产生样模。

5.研究了角锥喇叭天线的电子束焊接工艺,并与传统的氩弧焊成形工艺进行了对比.

6.本文采用有无离子源辅助电子束蒸发两种工艺制备了Ta2O5薄膜，研究了制备工艺对Ta2O5薄膜性能的影响。

7.论文介绍了国内外电子束曝光技术的发展和图形发生器的工作原理。

8.使用方法如电子束熔炼或选择性激光烧结.

9.并在分析造成真空度不稳定原因的基础上，阐述了的电子束炉真空系统的控制方案及其算法。

10.利用电子束光刻技术制作了基于钛酸钠纳米线的纳米器件。

11.通过对电子束扩散函数与显影对比度的分析，本文认为电子束曝光的分辨极限与显影液在纳米尺度下的扩散限制有关。

12.第一章简单介绍了电子束曝光技术的背景知识，包括国内外电子束曝光技术的发展过程和趋势、电子束曝光机以及图形发生器的研制与应用。

13.在圆形硅基底上采用电子束加热蒸发制备了二氧化钛薄膜。

14.这幅显微照片是通过扫描穿过样品的电子束而获得的，同时检测器对从样品表面反弹的电子进行追踪，这些电子显示了标本的外形。

15.评述了平板CRT的基本问题，指出矩阵式驱动和电子束偏转系统结合的平板CRT可能是很有前途的一种方案。

16.最后利用电子束蒸发技术制备了薄膜样品，样品的光谱性能完全能够满足使用要求。

17.通过将石墨烯薄片放置在一个氮化硅薄膜上，并用电子束在石墨烯上打出纳米尺度的孔，他们制作出了一系列从5到25nm直径的孔。

18.因此目前电子束光刻设备主要的用途是用于刻制掩膜板，许多人甚至认为电子束光刻技术的产出量永远也无法满足芯片量产的需求。

19.介绍了电子束焊机中的具体高电压技术问题。

20.相应的电流就用来使阴极射线管里的电子束偏转.

21.利用柱坐标系下的二维PIC程序对金属靶背向超热电子束的运动特性进行了模拟，研究了超热电子的回流机制。

22.本文介绍一种新型的光学薄膜制备用多离子束电子束系统。

23.本课题主要研究基于DSP的电子束曝光机图形发生器控制器。zaoj v.com

24.实验结果和理论分析表明，动态变化的电子束蒸发工艺是制备优质ITO透明导电膜的有效方法。

25.用AFM表征了有离子源电子束蒸发制备薄膜的表面形貌、粗糙度、相位信息，分析认为此工艺下Ta2O5薄膜为岛状模式生长，不同厚度薄膜表面粗糙度变化不大。

26.衍射光学元件有很多制作方法，比较成熟的有二元光学元件加工方法和激光或电子束直写技术加工方法。

27.与所有降B调，电子束，C和低音谱号文书，爵士队用播放沿系列是最终的学习所有爵士乐手工具。

28.本文介绍了新型电子束熔炼炉技术参数、结构、性能及其特点。

29.本文介绍了低能电子在固体中的弹性散射和非弹性散射，及其在电子束显微分析中的一些应用。

30.空心铝球的焊接更有特殊性，采用真空电子束焊接比激光焊接更为有利。

31.然后我放了两个感光片,我可以检测到光束所以,当我观察时,电子束以每秒80次的速度来来回回了。

32.Ta2O5薄膜采用传统的电子束蒸发方法沉积在BK7基底上。

33.透射电子显微镜发出电子束直接打向细胞样本，得到细胞的精细结构。

34.用一个磁场使电子束走曲线路径能够屏蔽热阴极.

35.对电子束物理气相沉积高硅硅钢片进行了高温快速退火处理.

36.采用电子束蒸发沉积技术制备了平板偏振膜。

37.为实现电子束曝光机扫描场的线性畸变校正，设计了图形发生器的成像系统，该系统包括硬件和软件两部分。

38.研究了电子束曝光机图形数据格式转换软件的分割、压缩算法，针对传统的图形数据分割、压缩算法存在的主要缺点，提出了新的分割算法和压缩算法，并对压缩算法进行了详细的论述和研究。

39.彩色显像管的超薄型化涉及到两方面的问题，其一是扩大电子束的偏转角，其二是减小玻壳的长度，尤其是锥体玻壳的长度。

40.聚光镜系统可将电子束聚集在样品上,并且物镜可对样品进行初级放大.

41.我之前提及过，我们上次,讲到应用经典力学如何描述,一个原子以及原子如何把质子,和电子束缚在一起，今天我们要。

42.高功率雷射束与高能电子束相碰时，会产生一束极窄的伽玛射线。

43.舍温解释说，当频率合适的光线附到一个量子井上时，它会创造出一对叫做“电子空穴对”的电子束缚洞，而光线会被其所吸收。

44.用电子束刻蚀法在晶片上镀上纳米级铝层形成了电感器。

45.为满足纳米级电子束曝光系统的要求，设计了高速图形发生器。

46.测量发现当电子束流增大到一定程度时，测出的弹性电子峰严重畸变，电子倍增器工作在饱和状态。

47.本论文利用电子束蒸发方法制备氧化钨、氧化镍薄膜的基础上，研究了热处理工艺对于薄膜电致变色性能的影响。

48.论文分析了国内外电子束曝光技术的发展和图形发生器的工作原理。

49.使用PMMA电子束抗蚀剂，在该系统上获得0.1微米的线分辨率。

50.本文用电子束蒸发的方法在K9玻璃上制备了AZO薄膜。