1.R1和Q1的门源极电容决定了晶体管的关闭时间.

2. 硅互补的NPN晶体管。音频放大器，驱动程序。

3. 场效应晶体管以及制造场效应晶体管的方法。

4. 讨论了双极性晶体管雪崩的工作原理，分析了采用级联双极性晶体管结构的超宽带极窄脉冲发生器的电路。

5. 描述了双极型晶体管及其制造.

6. 一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔离层，以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。

7. 只有一个外部晶体管所需的变容二极管，线路驱动。

8. 本文叙述了发生在单结晶体管二阶受迫振荡电路中的倍周期分岔，周期迭加分岔和混沌现象，并讨论了这些现象的发生机理。

9. 在一般的双极晶体管，带有电输入和输出端口，这定律完全适用。

10. 在下列电路图中,我使用了一个晶体管恒流源负载的例子.

11.二极管或隔离变压器的一个绕组。

12. 这也是我第一印象，很高兴得到你的认同，凤凰结合了胆机与晶体管机中最好的部分。

13. 如果大脑中的神经连接变多变细，就会碰到热力学极限，正如计算机芯片上的晶体管所遇到的问题一样：容易产生“噪音”。

14. 在硬开关里场效应晶体管的开启波形拐点并不和漏源极电压值同步。

15. 光电晶体管。集电极发射极发射极电压30V的集电极电压6五，集电极电流为20毫安。功耗100毫瓦。

16.硅外延平面晶体管，用于音频和通用。

17.晶体管有三个电极,即发射极,基极和集电极.

18. 我们必须十分重视晶体管的偏置.

19. 本文从包括埋层影响的集区杂质分布出发，求出了寄生PNP晶体管的共基极电流放大系数。

20. 直到今天,电脑、服务器和其它设备所能采用的只有二维平面晶体管。

21.一般用途低级别的放大器和开关晶体管。

22.正如阿南特加瓦尔解释说，中医取代单核心处理器已经变得如此复杂，并增加了更多的晶体管，它的技术达到了死胡同。

23.这种特殊的几何结构不仅最大程度降低了不良效应,而且,和当今的平面晶体管相比,静电控制性能也得到了极大提升。

24.不同偏置的电离辐照实验。

25. R1和Q1的门源极电容决定了晶体管的关闭时间.

26. 本文提出了高压低饱和压降GTR的最佳设计方法。分析表明，高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。

27. 绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。

28. 这类器件包括光电池、光电晶体管等。

29.硅互补PNP晶体管。音频放大器和驱动器。

30.其内部只不过是一串串极为普通的金属线和晶体管，但外观上却使人不敢等闲视之。

31.该电路由一集成运算放大器及多端输出的双极晶体管电流镜构成。

32. 建成后可先期开展PN结和晶体二极管、三极管、双极型晶体管等产品检测,基本满足全市微电子企业产品试验及成品出厂检测需要。

33. 举例说明，20兆赫兹的峰点是钳位过程结束后主要由场效应晶体管输出电容和变压器漏感引起的寄生振荡产生的。

34. 这种电路的每一支路中的元件，除一般电路元件外，还可能包括功率开关晶体管、二极管或隔离变压器的一个绕组。

35. 它同样计划构造一个无掺杂隧道的平面晶体管。

36.硅互补PNP晶体管。通用输出和音频放大器的驱动程序。

37.随意地，如果用锗晶体管取代硅晶体管，可使模块工作的输入电压最小为0.25V。

38. 存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。

39.三极管、双极型晶体管等产品检测,基本满足全市微电子企业产品试验及成品出厂检测需要。

40. 这就是说，电路并不在晶体管层次进行设计，而是在门电路、触发器和存储模块的级别进行设计的。

41. 这导致主要产品是晶体管类扩音机，当然我们不排斥完全电池供电的胆机设备，虽然胆机电池供电重量和体积太大，对大多数人也不划算。

42.电子管和晶体管能放大输入的信号.

43. 这是一台最新式晶体管收音机。

44.另外，最近有其他研究人员研制出了纸基晶体管，米若因博士的电池可为带有这种晶体管的装置配电。

45.该文以微波放大器的有源网络设计为基础，针对微波晶体管输入与输出阻抗相互影响的特点，提出了阻抗匹配的自适应递推设计方法。

46. 通常由一个电阻器或者电流源，电容器和一个“阀门”装置，如氖灯、两端交流开关、单结晶体管或者耿式效应二极管来实现。

47. 在液晶显示器中是薄膜晶体管。

48.它同样计划构造一个无掺杂隧道的平面晶体管。

49. 由BIMOS型运放和VMOS场效应晶体管的巧妙配合，使仪器具有很高的精度和很好的性能。

50.介绍了用万用表检测集成电路块和单结晶体管的方法。