1. 采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术，获得了可与CMOS结构兼容，基区电阻较小的硅低温双极晶体管。

2.晶体管分立元件相结合，实现对输入脉冲触发转换、脉冲成形以及驱动输出，最终产生多路同步触发信号。

3. 许多探测器技术以非晶硅薄膜晶体管阵列为基础发展起来了，可是最成功和广泛应用的探测器被称为“间接”探测器。

4. 光电晶体管。集电极发射极电压30V的集电极发射极电压为5V功耗75毫瓦。

5. 从微波晶体管、场效应管管芯的单向化模型出发,给出了对微波宽带放大器的不等波纹函数型阻抗匹配网络综合方法.

6.晶体管能起三级管所能起的大部分作用。

7. 这种新晶体管的开关时间将缩短三分之二。

8. 然后，在薄膜晶体管面板上的不良像素区域沉积或者印刷不透明物质。

9.新型晶体管的开关时间缩短了三分之二。

10. 惊魂夺魄百念无,一手乾坤待于谁?晨阳飘过,小房间内,李灿手中一颗米粒般大小晶体管,柔弱的发着浅黄色光芒。

11.这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性。

12.该文以微波放大器的有源网络设计为基础，针对微波晶体管输入与输出阻抗相互影响的特点，提出了阻抗匹配的自适应递推设计方法。

13. 它同样计划构造一个无掺杂隧道的平面晶体管。

14. 这里提出的结构解决了这个问题，它利用标准CMOS晶体管来实现非易失性存储器，这样就不需要额外的掩膜或工艺步骤。

15.硅互补PNP晶体管。通用输出和音频放大器的驱动程序。

16. 该文以微波放大器的有源网络设计为基础，针对微波晶体管输入与输出阻抗相互影响的特点，提出了阻抗匹配的自适应递推设计方法。

17. 微晶体管利用背板在屏幕上显示各个彩色像素，在过去20年里，由于背板技术的革新，液晶显示器刷屏的速度得以提高。

18. 最有意义的是里头还有一个冷子管,它由MIT在当年开发完成,这之后取代了计算机中复杂昂贵的晶体管。

19.该原子的表现正如一个量子光学晶体管，能持续控制流入光腔的光。

20. 对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。

21.我们戴手表，用相机拍照片，看地图找路，听晶体管收音机，。com而你们用一部手机可以做以上所有的事。

22. 描述了双极型晶体管及其制造.

23.场效应管管芯的单向化模型出发,给出了对微波宽带放大器的不等波纹函数型阻抗匹配网络综合方法.

24.硅互补PNP晶体管。达林顿功放。

25. 本文提出了高压低饱和压降GTR的最佳设计方法。分析表明，高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。

26.硅互补PNP晶体管。音频放大器的输出。

27. 晶体管放大电路拥有一个防震二极管以防止由电线长度引起的自感应现象，此防震二极管连接在2个晶体管金属丝接头上。

28. 将许多晶体管联结到集成块上的技术已发展成了.

29.传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。

30.三极管、双极型晶体管等产品检测,基本满足全市微电子企业产品试验及成品出厂检测需要。

31. 一般用途低级别的放大器和开关晶体管。

32.文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发，推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式。

33.光电晶体管。集电极发射极发射极电压30V的集电极电压6五，集电极电流为20毫安。功耗100毫瓦。

34.晶体管是用几小片锗晶体组成的。

35.这种新晶体管的开关时间将延长三分之二。

36. 硅互补PNP晶体管。通用输出和音频放大器的驱动程序。

37. 其内部只不过是一串串极为普通的金属线和晶体管，但外观上却使人不敢等闲视之。

38.本文采用较全面的包括四个寄生双极晶体管和MOS管的闩锁模型，详细分析了瞬态辐照下CMOS反相器的闩锁效应。

39.硅外延平面晶体管，用于音频和通用。

40.当今市面上最好的芯片使用32纳米的平面晶体管，而下一代芯片将使用22纳米晶体管。

41.惊魂夺魄百念无,一手乾坤待于谁?晨阳飘过,小房间内,李灿手中一颗米粒般大小晶体管,柔弱的发着浅黄色光芒。

42. 正如阿南特加瓦尔解释说，中医取代单核心处理器已经变得如此复杂，并增加了更多的晶体管，它的技术达到了死胡同。

43. 晶体管存贮单元端点的数量是不受限制的.

44.服务器和其它设备所能采用的只有二维平面晶体管。

45.硅互补PNP晶体管。音频放大器和驱动器。

46. 这也是我第一印象，很高兴得到你的认同，凤凰结合了胆机与晶体管机中最好的部分。

47. 复合晶体管，复合晶体管对，电流平方器和CMOS模拟乘法器。

48. 直到今天,电脑、服务器和其它设备所能采用的只有二维平面晶体管。

49.这也是我第一印象，很高兴得到你的认同，凤凰结合了胆机与晶体管机中最好的部分。

50. 然而，有机场效应晶体管性能的快速进步，主要得益于新型有机半导体材料方面的研究进展。