晶体管的造句
1. 本文介绍了晶体管的雪崩原理,通过张弛振荡器、崩振荡器、音频信号发生器和闪光节拍器四个例子介绍了雪崩晶体管的应用。
2. 文章回顾了分子器件的发展历程和研究现状,并重点对分子导线、分子开关、分子整流器和分子晶体管等器件进行了介绍。
3. 该组研究人员成功地在每张纸币上印上100层有机超薄型薄膜晶体管,足以执行简单的计算任务。
4. 光电晶体管。集电极发射极电压30V的集电极发射极电压为5V功耗75毫瓦。
5.我们戴手表,用相机拍照片,看地图找路,听晶体管收音机,。com而你们用一部手机可以做以上所有的事。
6. 本文提出了高压低饱和压降GTR的最佳设计方法。分析表明,高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。
7.这也是我第一印象,很高兴得到你的认同,凤凰结合了胆机与晶体管机中最好的部分。
8. 本文根据晶体管非线性元件的特点,利用数学推导方法,从基础上分析了变频工作啸叫的原因,并提出了消除方法。
9.形成图案的方法,薄膜晶体管,显示设备及其制造方法,以及电视设备。
10. 本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法。
11. 除此之外,英特尔正在研究如何从平面晶体管过渡到3D晶体管,以及利用复合半导体取代现在晶体管通道中的硅。
12. 晶体管是用几小片锗晶体组成的。
13.形成图案的方法,薄膜晶体管,显示设备及制法和应用。
14. 这也是我第一印象,很高兴得到你的认同,凤凰结合了胆机与晶体管机中最好的部分。
15. 将许多晶体管联结到集成块上的技术已发展成了.
16.电子管和晶体管能放大输入的信号.
17.晶体管分立元件相结合,实现对输入脉冲触发转换、脉冲成形以及驱动输出,最终产生多路同步触发信号。
18. 其课题在于,针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管,提高二维电子浓度和电子迁移率,并且不产生短沟道效应。
19. 场效应晶体管,特别是双扩散场效应晶体管,及其制造方法。
20.在一般的双极晶体管,带有电输入和输出端口,这定律完全适用。
21. 探讨真空管和晶体管音频放大器和其他相关高保真设备。
22. 它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.
23. 当今市面上最好的芯片使用32纳米的平面晶体管,而下一代芯片将使用22纳米晶体管。
24. 本文对得到的结论给出了合理解释,以期未来能以此为依据调整器件结构、改变外电路形式,从而提高晶体管对电磁脉冲耐受性。
25.场效应管管芯的单向化模型出发,给出了对微波宽带放大器的不等波纹函数型阻抗匹配网络综合方法.
26. 一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法,此方法是在基底中形成隔离层,以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。
27. 本文采用较全面的包括四个寄生双极晶体管和MOS管的闩锁模型,详细分析了瞬态辐照下CMOS反相器的闩锁效应。
28.晶体二极管和铁氧体磁芯等。
29. 直到今天,电脑、服务器和其它设备所能采用的只有二维平面晶体管。
30. 形成图案的方法,薄膜晶体管,显示设备及制法和应用。
31.固体物理学为我们带来了晶体管。
32.其次,对提高有机薄膜晶体管的电学性能的研究。
33.逆变器采用绝缘栅双极晶体管模块制造。
34.最有意义的是里头还有一个冷子管,它由MIT在当年开发完成,这之后取代了计算机中复杂昂贵的晶体管。
35. 在防止芯片尺寸增大且抑制了功耗增大的同时,来对MOS晶体管的温度相关性进行补偿。
36.其课题在于,针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管,提高二维电子浓度和电子迁移率,并且不产生短沟道效应。
37.齐纳二极管,萧基二极管,双极晶体管。
38.这些高速开关器件取代慢,少的高效双极晶体管,增改善的表现,双方的步进电机驱动器和伺服放大器。
39. 场效应晶体管以及制造场效应晶体管的方法。
40.乙方应严格按照甲方的设计将甲方供给的零部件装配成晶体管收音机,不得变动。
41. 对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。
42.然而,锗晶体管价格相对高些,所以只在需要低输入电压的应用中使用。
43. “韩国泡菜碗里这个最辣的辣椒”就是三星电子,三星电子第一个电子产品是笨重的晶体管收音机,而发展到现在,从销量的角度去评估,它已经是世界上最大的科技公司。
44. 基极晶体管中发射极和''.'集'.''''.'电'.''极之间的区域.
45. 我们必须十分重视晶体管的偏置.
46. 本文从包括埋层影响的集区杂质分布出发,求出了寄生PNP晶体管的共基极电流放大系数。
47.晶体管是用几小片锗晶体组成的。
48.平衡晶体管放大器以及电调衰减器等进行分析和优化设计。
49. 举例说明,20兆赫兹的峰点是钳位过程结束后主要由场效应晶体管输出电容和变压器漏感引起的寄生振荡产生的。
50. 这类器件包括光电池、光电晶体管等。