1.沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。

2.传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。

3.被排出的浆液通过沟道被送到吸收塔排水坑.

4.m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。

5.由于这种连接可能出现较大的泄漏沟道，故可用密封剂、密封胶带或填料来堵塞这些沟道。

6.特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。

7.它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.

8.最后，模拟研究了“双沟道”MESFET结构，并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性，优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。

9.提出了近北远南、截流沟道、河滩漫流、排口分级管理的新观点。

10.绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。

11.湖底扇、辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。

12.第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。

13.村周围成千上万的沟道、石堰,为收藏石头提供了绝佳的天然场所。

14.在较浅的沟道里，如果流量过大就可能使沟水漫溢，并引起连锁反应，从而产生冲沟。

15.绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。

16.m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。

17.藉由本发明可以在维持元件密度的情况下制作较宽的字线，避免短沟道效应，提升元件的效能。

18.藉由本发明可以在维持元件密度的情况下制作较宽的字线，避免短沟道效应，提升元件的效能。

19.MOSFET三级模型也成为半经验模型，这个模型不仅包括了亚阈值情况，而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。

20.对于0.18m及0.18m以下的器件而言最大的挑战之一就是如何减少短沟道效应，解决这一挑战的方法是使用超浅结工艺。

21.沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。

22.特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。

23.由于这种连接可能出现较大的泄漏沟道，故可用密封剂、密封胶带或填料来堵塞这些沟道。

24.当时,毛*席住在白育才家的五孔窑洞里,沟道对面是红军总部机关驻地,博古等人居住在此,相邻的同一排窑洞设有警卫排、伙房、机要室、电台部等。

25.第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。

26.产品型号稳定是加工水泵、纺织轴承沟道、滚道之最佳选择。

27.其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。

28.泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。

29.实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致，晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。

30.实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致，晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。

31.由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀，沟道也成为土壤侵蚀风险区。

32.辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。

33.介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。

34.特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。

35.湖底扇、辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。

36.高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

37.泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。

38.模拟结果显示：越细长的沟道，器件的短沟效应越弱，器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大。

39.沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。

40.带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。

41.骨干坝的布局应遵循三均衡原则,即单坝区间控制面积基本均衡,对干支沟的沟道控制基本均衡,单坝淤地面积与区间控制面积的比值基本均衡。

42.第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。

43.文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法，讨论了一种基于RST结构原理实现“或非”逻辑功能的器件结构。

44.全区的护田林带已达200多公里,许多侵蚀剧烈的沟道、河川被沙棘固定。

45.基本保留了凤凰台、回水沟与厚慈街的位置,对十八梯、守备街、花街子、回水沟道路做了进一步改善。

46.它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.

47.通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。

48.经分析，是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大，势垒区耗尽层远小于沟道宽度，栅压起不到明显的调控作用。

49.传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。

50.骨干坝的布局应遵循三均衡原则,即单坝区间控制面积基本均衡,对干支沟的沟道控制基本均衡,单坝淤地面积与区间控制面积的比值基本均衡。