1.6 通过纳米制备技术研究者在氮化硅中刻蚀出许多空洞以构成所需图案，使得波导具有合适的隐形折射率。

2.11 本发明过孔的制备过程工艺简单，操作性比通过刻蚀的方法方便，降低了工艺成本。

3.最后利用三维表面形貌仪，分别对湿法刻蚀和干法刻蚀的磁头结构进行了数据分析。

4.微光学器件提供了参考依据，对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义。

5.本发明过孔的制备过程工艺简单，操作性比通过刻蚀的方法方便，降低了工艺成本。

6.21 运用相位掩模法刻蚀光纤光栅，该方法对光源的时间相干性和单色性要求较低，工艺简单，成品率高。

7.16 蘸水笔技术是近年来发展起来的一种新的扫描探针刻蚀加工技术，有着广泛的应用前景。

8.24 在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率，并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容。

9.该器件采用一次深刻蚀与一次浅刻蚀，从而屏蔽掉“静态镜面”的影响。

10.本发明公开了一种刻蚀停止层，包括在衬底上形成的含氮的碳化硅层，以及位于所述碳化硅层之上的氮化硅层。

11.蘸水笔技术是近年来发展起来的一种新的扫描探针刻蚀加工技术，有着广泛的应用前景。

12.由此解释了无刻蚀镀铁层具有高结合强度的原因。

13.你有信仰就年轻，疑惑就年老。有自信就年轻，畏惧就年老。有希望就年轻，绝望就年老。岁月刻蚀的不过是你的皮肤，但如果失去了热忱，你的灵魂就不再年轻。

14.20 介绍了一种无刻蚀直流镀铁工艺。

15.运用相位掩模法刻蚀光纤光栅，该方法对光源的时间相干性和单色性要求较低，工艺简单，成品率高。

16.14 本发明公开了一种刻蚀停止层，包括在衬底上形成的含氮的碳化硅层，以及位于所述碳化硅层之上的氮化硅层。

17.并且详细论述离子刻蚀的原理以及离子源的参数设计。

18.23 你有信仰就年轻，疑惑就年老。有自信就年轻，畏惧就年老。有希望就年轻，绝望就年老。岁月刻蚀的不过是你的皮肤，但如果失去了热忱，你的灵魂就不再年轻。

19.3 通过优化刻蚀参数，获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导。

20.29 研究常压等离子射流处理对羊毛织物正反面染色性的影响，从而探索常压等离子射流刻蚀在织物中的渗透性。

21.本项研究是在分析比较现有各种镀铁工艺的基础上，采用了一种新的无刻蚀镀铁及其复合镀工艺。

22.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率，并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容。

23.8 对硅的干法刻蚀技术是现代半导体工业中非常重要的一项工艺。

24.与传统湿法腐蚀比较，干法刻蚀具有各向异性、对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点。

25.2 采用反应离子刻蚀，各向异性化学腐蚀及自限制热氧化过程在SOI衬底上制备出高质量的超精细硅量子线。

26.对这种结构的形变特性进行了实验测试，考虑到测量误差与湿法刻蚀造成膜表面的不平整因素，测实结果与模拟结果较为相符。

27.田纳西河刻蚀着坎伯兰高原的东部边缘.

28.通过纳米制备技术研究者在氮化硅中刻蚀出许多空洞以构成所需图案，使得波导具有合适的隐形折射率。

29.对硅的干法刻蚀技术是现代半导体工业中非常重要的一项工艺。

30.1 通过深紫外光刻和感应耦合等离子刻蚀设备，制备了所设计的器件。

31.介绍了一种无刻蚀直流镀铁工艺。造 句 网

32.4 由此解释了无刻蚀镀铁层具有高结合强度的原因。

33.采用反应离子刻蚀，各向异性化学腐蚀及自限制热氧化过程在SOI衬底上制备出高质量的超精细硅量子线。

34.应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀.

35.传统的干法刻蚀不适合用于注入层，因为它的工艺复杂而且在刻蚀过程中可能导致基片损坏。

36.目前，刻蚀技术已经成为集成电路生产中的标准技术，干法刻蚀设备亦成为关键设备。

37.研究常压等离子射流处理对羊毛织物正反面染色性的影响，从而探索常压等离子射流刻蚀在织物中的渗透性。

38.硅片的一部分经掩膜后进行SF6干法刻蚀，从而使集流器能够连接到外电路上。

39.25 对这种结构的形变特性进行了实验测试，考虑到测量误差与湿法刻蚀造成膜表面的不平整因素，测实结果与模拟结果较为相符。

40.31 传统的干法刻蚀不适合用于注入层，因为它的工艺复杂而且在刻蚀过程中可能导致基片损坏。

41.对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点。

42.12 刻蚀工艺的分辨率是图形转移保真度的量度.

43.通过优化刻蚀参数，获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导。

44.26 本项研究是在分析比较现有各种镀铁工艺的基础上，采用了一种新的无刻蚀镀铁及其复合镀工艺。

45.刻蚀工艺的分辨率是图形转移保真度的量度.

46.衍射光学元件在制作过程中,存在掩模对准、线宽和刻蚀深度等制作误差.

47.线宽和刻蚀深度等制作误差.

48.15 硅片的一部分经掩膜后进行SF6干法刻蚀，从而使集流器能够连接到外电路上。

49.通过深紫外光刻和感应耦合等离子刻蚀设备，制备了所设计的器件。

50.通过对光刻工艺过程的研究，可为较好地控制正性光刻胶面形，制作微机械、微光学器件提供了参考依据，对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义。