1.由于这种连接可能出现较大的泄漏沟道，故可用密封剂、密封胶带或填料来堵塞这些沟道。

2.本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。

3.沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征。

4.泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。

5.由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀，沟道也成为土壤侵蚀风险区。

6.它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.

7.介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。

8.绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。

9.在较浅的沟道里，如果流量过大就可能使沟水漫溢，并引起连锁反应，从而产生冲沟。

10.沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征。

11.带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。

12.高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

13.由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀，沟道也成为土壤侵蚀风险区。

14.为了减小小尺寸MOS器件的短沟道效应，采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。

15.辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。

16.骨干坝的布局应遵循三均衡原则,即单坝区间控制面积基本均衡,对干支沟的沟道控制基本均衡,单坝淤地面积与区间控制面积的比值基本均衡。

17.全区的护田林带已达200多公里,许多侵蚀剧烈的沟道、河川被沙棘固定。

18.特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。

19.介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。

20.传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。

21.传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。

22.高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

23.产品型号稳定是加工水泵、纺织轴承沟道、滚道之最佳选择。

24.沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。

25.m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。

26.第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。

27.骨干坝的布局应遵循三均衡原则,即单坝区间控制面积基本均衡,对干支沟的沟道控制基本均衡,单坝淤地面积与区间控制面积的比值基本均衡。

28.通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。

29.第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。

30.MOSFET三级模型也成为半经验模型，这个模型不仅包括了亚阈值情况，而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。

31.湖底扇、辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。

32.泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。

33.经分析，是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大，势垒区耗尽层远小于沟道宽度，栅压起不到明显的调控作用。

34.高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

35.m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。

36.村周围成千上万的沟道、石堰,为收藏石头提供了绝佳的天然场所。

37.介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。

38.经分析，是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大，势垒区耗尽层远小于沟道宽度，栅压起不到明显的调控作用。

39.村周围成千上万的沟道、石堰,为收藏石头提供了绝佳的天然场所。

40.实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致，晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。

41.这样在源和漏之间就产生了一个导电的n型沟道.

42.带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。

43.沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。

44.最后，模拟研究了“双沟道”MESFET结构，并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性，优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。

45.文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法，讨论了一种基于RST结构原理实现“或非”逻辑功能的器件结构。

46.为了减小小尺寸MOS器件的短沟道效应，采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。

47.本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。

48.由于这种连接可能出现较大的泄漏沟道，故可用密封剂、密封胶带或填料来堵塞这些沟道。

49.这样在源和漏之间就产生了一个导电的n型沟道.

50.对于0.18m及0.18m以下的器件而言最大的挑战之一就是如何减少短沟道效应，解决这一挑战的方法是使用超浅结工艺。