1.由于电流通过变阻器的全部电阻丝，故A、B之间任意两点都有电势差。

2.148 在常规测井中，电阻率测井是识别地层流体性质的主要手段。

3.在储能电容器中，双电层电容器的储能密度特别高，但其内电阻大，且元件的输出电压低。

4.实验中，计算实验误差时常常不考虑电阻箱零值电阻所引起的误差。

5.11 通过对热膜探头的温度特性分析，提出采用铂电阻作为热膜风速计的温度补偿元件。

6.正面有个摄影镜头，以及一只相当平凡的塑料触控笔隐藏在控制器顶部，所以毋庸置疑，这是电阻式触控面板。

7.使用欧姆计,检查在换向器之间电阻.

8.82 文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发，推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式。

9.扩展电阻的测试结果显示出注入的P离子基本上集中在集电区的位置，对发射区和基区未造成显著影响。

10.给出了一定分布电流下，整数倍半波天线辐射场的平均能流密度、辐射总功率及辐射电阻。

11.在教师指导下，由学生自行设计“测定半波整流电容滤波电路负载电阻上消耗的平均功率”实验。

12.结合电阻法原理和微型计算机技术，研制出一种能检测血细胞大小和数量的自动分析仪器。

13.设计了一种带有积分参数的模糊控制器，并将其应用于电阻炉的温度控制系统。

14.30 虽然输入偏置电流是这种误差的常见来源，但是外电路产生的电流在源电阻上形成的电压降也能引起误差。

15.所述有源放大器补偿电阻损耗、高频趋肤效应和高频辐射。

16.针对电缆管绞机中的实际要求，在对其磁力悬浮系统的磁路、磁力以及电阻和温度等各方面进行理论分析的基础上，提出了设计方法。

17.48 本文简述了电阻箱用中电阻合金的使用环境和要求，并对研制材料的特性进行了实验分析。

18.73 本文对非填充全塑市话电缆的绝缘电阻进行了深入的理论研究.

19.导出了圆环天线的辐射电阻公式。

20.118 可变电阻区功率MOSFET漏极减小到额定的值。

21.220 这意味着，相对来说，通过扩大器内部电阻的电流压强降幅较大，通过蒸发器温度感应器的电流电阻压强降幅较小。

22.18 孔隙内水的矿化度或许是决定电阻率的最主要因素。

23.分流型安培计可以看成是在其输入端跨接了电阻器的电压表。

24.MYGJ高能型压敏电阻器是以氧化锌为主要原料的半导体陶瓷元件，其电阻值随施加电压的变化而变化。

25.183 依据热电阻与温度的数学关系，通过控制热电阻的电压电流恒定实现温度恒定的控制。

26.133 电阻率测试技术是一种地球物理探测方法.

27.46 本文论证了用高能氧化锌压敏电阻器实现恒压移能的优越性，并阐明其特点。

28.52 根据夹断电压能确定可变电阻区与饱和区的分界点，使场效应管可靠地工作在饱和区的原理。

29.104 使用电阻法对二氧化碳水合物的成核过程分析发现，水合物成核过程会引起体系内电阻增大。

30.对测试装置中使用的保温材料和加热用的电阻丝进行市场调研，确定最终选用的结果。

31.采用水浴加热替代电阻丝直接加热的方案，解决加热不均匀且不容易控制温度的难题。

32.采用电阻加热式真空蒸镀法在玻璃、H13钢、塑料和纯铜基体上镀制铝膜，并对其附着力进行了测试和分析。

33.同时使用电磁波传播测井和微球形聚焦电阻率测井求出饱和度指数随地层深度的变化曲线，预测储层的润湿性。

34.53 通过理论推导，获知了湿敏电阻器的感湿特性曲线与拟合直线之间的偏差随其本体电阻的变化关系。

35.熔断电阻器工作时不可触摸，否则有人身伤害的危险。

36.本文介绍了一种新的测量电源电动势的方法，即用示波器测电池的电动势和内电阻。

37.54 含锆型硅酸铝耐火纤维棉，以高纯氧化铝硅石粉及锆英沙合成为原料，经电阻炉熔融喷吹或甩丝成纤工艺生产而成。

38.电容与电感来求得电路系统的统制方程式。

39.200 该模型将微带线的有效阻抗作为匹配负载电阻，然后按适当的比例分布到端接面的网格中。

40.这种技术强制电流通过一对引线流过样品，而用另一对引线测量其电压降从而消除引线电阻的影响。

41.采用铑铁电阻温度传感器研制了一台低温温度计，用于对制冷机低温泵温度的测控。

42.注意，最小的源电阻推荐值随着测量范围而变化，因为RF也决定于测量范围。

43.215 在对温度敏感的器件,如热敏电阻,进行温度测量时,要考虑器件的加热问题.

44.选用箱式电阻炉和土窑烧制的竹炭，在不同温度和湿度条件下进行竹炭吸湿性变化的试验。

45.给出了求各路分配节和变阻节特性阻抗以及隔离电阻的计算公式，其中含有一个可供灵活选择的任意常系数。

46.B之间任意两点都有电势差。

47.提高磷酸酯抗燃油的电阻率，避免元件发生电化学腐蚀。

48.外电路由串联电阻、电感和并联电容组成。

49.MYG型压敏电阻器是以氧化锌为主要原料制造的半导体陶瓷元件，其电阻值随施加电压的变化而呈非线性变化。

50.2 输入电阻通常要比源电阻大很多。