1.经分析，是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大，势垒区耗尽层远小于沟道宽度，栅压起不到明显的调控作用。

2.这样在源和漏之间就产生了一个导电的n型沟道.

3.由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀，沟道也成为土壤侵蚀风险区。

4.由于这种连接可能出现较大的泄漏沟道，故可用密封剂、密封胶带或填料来堵塞这些沟道。

5.村周围成千上万的沟道、石堰,为收藏石头提供了绝佳的天然场所。

6.产品型号稳定是加工水泵、纺织轴承沟道、滚道之最佳选择。

7.在较浅的沟道里，如果流量过大就可能使沟水漫溢，并引起连锁反应，从而产生冲沟。

8.经分析，是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大，势垒区耗尽层远小于沟道宽度，栅压起不到明显的调控作用。

9.提出了近北远南、截流沟道、河滩漫流、排口分级管理的新观点。

10.阐述了土谷坊的设计原则、施工方法及其在沟道治理工程中的应用.

11.绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。

12.泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。

13.高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

14.由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀，沟道也成为土壤侵蚀风险区。

15.高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

16.阐述了土谷坊的设计原则、施工方法及其在沟道治理工程中的应用.

17.基本保留了凤凰台、回水沟与厚慈街的位置,对十八梯、守备街、花街子、回水沟道路做了进一步改善。

18.特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。

19.通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。

20.泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。

21.它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。

22.m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。

23.带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。

24.这样在源和漏之间就产生了一个导电的n型沟道.

25.村周围成千上万的沟道、石堰,为收藏石头提供了绝佳的天然场所。

26.高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

27.特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。

28.本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。

29.介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。

30.提出了近北远南、截流沟道、河滩漫流、排口分级管理的新观点。

31.由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀，沟道也成为土壤侵蚀风险区。

32.辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。

33.泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。

34.m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。

35.其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。

36.为了减小小尺寸MOS器件的短沟道效应，采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。

37.通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。

38.MOSFET三级模型也成为半经验模型，这个模型不仅包括了亚阈值情况，而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。

39.带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。

40.m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。

41.特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。

42.对于0.18m及0.18m以下的器件而言最大的挑战之一就是如何减少短沟道效应，解决这一挑战的方法是使用超浅结工艺。

43.高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

44.传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。

45.它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.

46.对于0.18m及0.18m以下的器件而言最大的挑战之一就是如何减少短沟道效应，解决这一挑战的方法是使用超浅结工艺。

47.文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法，讨论了一种基于RST结构原理实现“或非”逻辑功能的器件结构。

48.它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.

49.MOSFET三级模型也成为半经验模型，这个模型不仅包括了亚阈值情况，而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。

50.当时,毛*席住在白育才家的五孔窑洞里,沟道对面是红军总部机关驻地,博古等人居住在此,相邻的同一排窑洞设有警卫排、伙房、机要室、电台部等。