晶体管的造句
1. 晶体管是用几小片锗晶体组成的。
2.由BIMOS型运放和VMOS场效应晶体管的巧妙配合,使仪器具有很高的精度和很好的性能。
3.一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法,此方法是在基底中形成隔离层,以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。
4. 一种其工作取决于固体材料中电或磁现象控制情况的元件,例如晶体管、晶体二极管和铁氧体磁芯等。
5.本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法。
6. 场效应晶体管以及制造场效应晶体管的方法。
7. 介绍一个实用的晶体管开关电路,用它能够较准确地测定电容和介电常量。
8. 在大多数应用中,电子管已由晶体管代替,但是在阴极射线管和一些无线电频率电路以及音频放大器中,仍然要使用电子管。
9.光电晶体管等。
10. 齐纳二极管,萧基二极管,双极晶体管。
11.本文根据晶体管非线性元件的特点,利用数学推导方法,从基础上分析了变频工作啸叫的原因,并提出了消除方法。
12. 该同步机以FPGA为核心,与集成电路、晶体管分立元件相结合,实现对输入脉冲触发转换、脉冲成形以及驱动输出,最终产生多路同步触发信号。
13. 该文以微波放大器的有源网络设计为基础,针对微波晶体管输入与输出阻抗相互影响的特点,提出了阻抗匹配的自适应递推设计方法。
14.薄膜晶体管和显示装置。
15.平衡晶体管放大器以及电调衰减器等进行分析和优化设计。
16.描述了双极型晶体管及其制造.
17. 在液晶显示器中是薄膜晶体管。
18.晶体管存贮单元端点的数量是不受限制的.
19.这里提出的结构解决了这个问题,它利用标准CMOS晶体管来实现非易失性存储器,这样就不需要额外的掩膜或工艺步骤。
20.该电路由一集成运算放大器及多端输出的双极晶体管电流镜构成。
21. 这些高速开关器件取代慢,少的高效双极晶体管,增改善的表现,双方的步进电机驱动器和伺服放大器。
22. 除此之外,英特尔正在研究如何从平面晶体管过渡到3D晶体管,以及利用复合半导体取代现在晶体管通道中的硅。
23.晶体管分立元件相结合,实现对输入脉冲触发转换、脉冲成形以及驱动输出,最终产生多路同步触发信号。
24. 通常由一个电阻器或者电流源,电容器和一个“阀门”装置,如氖灯、两端交流开关、单结晶体管或者耿式效应二极管来实现。
25. 随着单个晶体管尺度越来越小,晶体管集成度越来越高,电子产品的尺寸也越来越小。
26. 形成图案的方法,薄膜晶体管,显示设备及制法和应用。
27. 特别地,当一个高功率电磁脉冲突然加载在晶体管上时,会导致晶体管的电击穿或热击穿。
28.日本最大的产业不是造船业,不是珍珠养殖业,亦不是晶体管收音机或摄像机生产业,而是娱乐业。
29. 硅互补的NPN晶体管。音频放大器,驱动程序。
30. 本文在对器件的特性进行分析的基础上,对多输入浮栅MOS晶体管在电压型多值逻辑电路中的应用进行了研究。
31.在硬开关里场效应晶体管的开启波形拐点并不和漏源极电压值同步。
32. 它拥有5英寸的屏幕使用了23个硅锗晶体管。
33. 晶体管有三个电极,即发射极,基极和集电极.
34.电容器和可变电阻器是三个基本元件。
35.不过,英特尔公司拥有大量聪明人,他们有能力发明使用新材料的单极型晶体管”。
36.随意地,如果用锗晶体管取代硅晶体管,可使模块工作的输入电压最小为0.25V。
37.场效应管管芯的单向化模型出发,给出了对微波宽带放大器的不等波纹函数型阻抗匹配网络综合方法.
38. 采用标准分立双极元件,对双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法进行了实验验证。
39. 它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.
40.1927年,菲律宾中华研究院苏鹏实验室通过还原氧化锗,拉出了锗单晶,开始开发锗晶体管,当年相继研制出锗点接触二极管和三极管(晶体管)。
41.硅互补的NPN晶体管。音频放大器,驱动程序。
42.晶体管放大电路拥有一个防震二极管以防止由电线长度引起的自感应现象,此防震二极管连接在2个晶体管金属丝接头上。
43. 举例说明,20兆赫兹的峰点是钳位过程结束后主要由场效应晶体管输出电容和变压器漏感引起的寄生振荡产生的。
44. 对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试。
45. 该原子的表现正如一个量子光学晶体管,能持续控制流入光腔的光。
46.惊魂夺魄百念无,一手乾坤待于谁?晨阳飘过,小房间内,李灿手中一颗米粒般大小晶体管,柔弱的发着浅黄色光芒。
47. 比较了适用于甲类工作和适用丙类工作的微波功率双极晶体管的差异,并对这些差异提出了物理解释。
48.另外,最近有其他研究人员研制出了纸基晶体管,米若因博士的可为带有这种晶体管的装置配电。
49.其内部只不过是一串串极为普通的金属线和晶体管,但外观上却使人不敢等闲视之。
50.硅互补PNP晶体管。音频放大器的输出。